SRAM,DRAM,SDRAM的比較
來源： 日期：2017-10-30 11:27:18
SRAM 是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。"靜態(tài)"是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器(ROM)和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。"隨機(jī)訪問"是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。因此，一個(gè)存儲位通常需要六個(gè)MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。 SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。 SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM)，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均與時(shí)鐘信號相關(guān)。
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